中芯国际此前已为美国高通技术公司的电源管理、无线及连接IC产品提供不同工艺制程的支持。通过在28纳米技术及晶圆制造服务上的新协作，中芯国际将进一步强化与美国高通技术公司的战略合作关系，并共同为不断增长的移动通信行业带来新的28纳米设计和产品。未来，中芯国际还会将其技术延伸到3DIC以及射频前端(RF front-end)晶圆制造，以支持美国高通技术公司不断扩展的骁龙产品组合。
中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示，“我们很高兴能够与美国高通技术公司达成此项合作，这对中芯国际28纳米工艺制程的完善以及竞争力的提升具有重要的里程碑意义。这进一步证明了中芯国际的实力和对客户的承诺，能够满足客户需求并根据其产品路线，提供所需的先进节点技术。此次得到美国高通技术公司的支持，我们相信28纳米技术将会成为公司最重要的增长动力之一。同时我们预期28纳米产品生命周期长度将会超越先前的技术节点，使中芯国际能更好地服务美国高通技术公司，并支持更多的需求。”
美国高通技术公司执行副总裁兼QCT联席总裁Murthy Renduchintala表示：“中芯国际是美国高通技术公司的重要供应商之一，其实力和技术产品正不断提升以满足我们更高的产品需求。我们很高兴能与中芯国际合作，并期待共同在中国开始其28纳米产品制造，并执行我们的区域供应链战略。中芯国际正日渐成为我们全球运营中一个更重要的供应商，此项合作也将进一步提升我们在中国这个全球最大的移动消费市场的制造和服务能力。”■